凸点与背金工艺
当今世界正在享受5G+和人工智能技术，TF-AMD为成为技术贡献的关键参与者为傲。在TF-AMD槟城，我们提供以凸点和BSM为特色的先进封装平台。 凸点与BSM是一种先进的晶圆级封装技术（WLP），相比传统封装方法，可显著提高性能。它涵盖了三种主要技术
微凸点，包括微铜柱，具有或不具有PI再钝化层。
铜凸点，包括 Cu+SnAg or Cu+Ni+SnAg, or Cu+Ni+Cu+SnAg
背面金属化（BSM），包括 Al+Ti+NiV+Au or Ti+NiV+Au.
该产品解决方案使用铜柱形成集成电路（IC）与主板（或引线框架）之间的互连。它满足了全球消费市场对便携式电子产品日益增长的需求。
凸点与背金工艺的特性
晶圆尺寸：
12 英寸
晶圆节点：
4nm 及以上
芯片尺寸:
小于 20×40mm
凸点结构:
0P1M, 1P1M
柱状凸点:
铜+锡银 & 铜+镍+锡银
PI 材料:
HD4104 & BM406HB
PI CD:
≥15 微米
凸点间距/尺寸:
45 微米 / 25 微米
可靠性测试标准
测试标准为 77 个抽样单位中零缺陷。
JEDEC 湿敏等级 MSL-1：J-STD-20/JESD22-A113
温湿度测试
85°C/ 85% RH, 1000小时, JEDEC 22- A101
压力锅测试
121°C/ 100% RH/ 15 PSIG, 96小时, JEDEC 22- A102
温度循环测试
-65 ~ 150°C, 500循环, JEDEC22-A104
高温存储测试
150°C, 1000小时, JEDEC 22- A103